Samsungov novi DRAM

Korejski proizvođač danas je najavio prvu generaciju LPDDR5 DRAM čipova od jednog gigabajta, izrađenih u proizvodnom procesu od 10 nanometara. Brzina transfera podataka koju ova memorija postiže je do 6400 megabita po sekundi, što je jedan i po put brže od trenutnog standarda koji se koristi u mobilnim uređajima. Ovo znači da se može očekivati slanje 51,2 gigabajta podataka u sekundi. Čipovi će biti dostupni u dve varijante brzina – od 6400 megabita po sekundi koji operiše na 1,1 volt i 5500 megabita po sekundi i radnim naponom od 1,05 volt, što ih čini najsvestranijom mobilnom memorijom za narednu generaciju smartfona. Ovakav napredak omogućen je dupliranjem broja operacija unutar samih DRAM ćelija – sa osam na 16, pa tako nova memorija može da razvije znatno veće brzine uz smanjenu potrošnju. Takođe, konstruisana je tako da izbegava upis vrednosti ‘0’ u ćelije kada to nije neophodno, već da direktno upisuje nove vrednosti, što dodatno doprinosi brzini i štedljivosti, te će potrošnja biti niža za trideset procenata.